Arseniuro de aluminio y galio

El arseniuro de aluminio y galio (también arseniuro de galio y aluminio) (Al_xGa_1−xAs) es un material semiconductor con casi la misma constante de red que el GaAs, pero con una banda prohibida más grande. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1; esto indica una aleación arbitraria entre GaAs y AlAs.

La fórmula química AlGaAs debe considerarse una forma abreviada de la anterior, en lugar de una proporción particular.

La banda prohibida varía entre 1,42 eV (GaAs) y 2,16 eV (AlAs). Para x < 0.4, la banda prohibida es directa.

El índice de refracción está relacionado con la banda prohibida a través de las relaciones de Kramers-Kronig y varía entre 2,9 (x = 1) y 3,5 (x = 0). Esto permite la construcción de espejos de Bragg utilizados en VCSEL, RCLED y recubrimientos cristalinos transferidos por sustrato.

El arseniuro de aluminio y galio se utiliza como material de barrera en dispositivos de heteroestructura basados en GaAs. La capa de AlGaAs confina los electrones a una región de arseniuro de galio. Un ejemplo de un dispositivo de este tipo es un fotodetector infrarrojo de pozo cuántico (QWIP).

Se suele utilizar en diodos láser de doble heteroestructura basados en GaAs que emiten luz roja e infrarroja cercana (700-1100 nm).

Aspectos de seguridad y toxicidad

La toxicología de AlGaAs no se ha investigado completamente. El polvo es irritante para la piel, los ojos y los pulmones. Los aspectos ambientales, de salud y seguridad de las fuentes de arseniuro de aluminio y galio (como el trimetilgalio y la arsina) y los estudios de monitoreo de higiene industrial de las fuentes estándar de MOVPE se informaron recientemente en una revisión.