Nitruro de galio y aluminio
El nitruro de aluminio y galio (AlGaN) es un material semiconductor. Es cualquier aleación de nitruro de aluminio y nitruro de galio.
La banda prohibida de AlxGa1−xN se puede adaptar de 4,3 eV (xAl=0) a 6,2 eV (xAl=1).
AlGaN se utiliza para fabricar diodos emisores de luz que funcionan en la región del azul al ultravioleta, donde se lograron longitudes de onda de hasta 250 nm (UV lejano), y algunos informes de hasta 222 nm. También se utiliza en láseres semiconductores azules.
También se utiliza en detectores de radiación ultravioleta y en transistores de alta movilidad electrónica AlGaN/GaN.
AlGaN se utiliza a menudo junto con nitruro de galio o nitruro de aluminio, formando heterouniones.
Las capas de AlGaN se cultivan comúnmente sobre nitruro de galio, zafiro o Si (111), casi siempre con capas adicionales de GaN.
Aspectos de seguridad y toxicidad
La toxicología del AlGaN no se ha investigado completamente. El polvo de AlGaN irrita la piel, los ojos y los pulmones. Recientemente, en una revisión se informó sobre los aspectos ambientales, de salud y seguridad de las fuentes de nitruro de aluminio y galio (como trimetilgalio y amoníaco) y sobre estudios de monitoreo de la higiene industrial de fuentes estándar de MOVPE.