Lista de ejemplos de escala de semiconductores

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Se enumeran muchos ejemplos de escala de semiconductores para varios nodos de proceso de fabricación de semiconductores de transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal (MOSFET o transistor MOS).

Cronología de las demostraciones de MOSFET

PMOS y NMOS

FechaLongitud del canalEspesor de óxidoLógica MOSFETInvestigador(es)OrganizaciónÁrbitro
junio de 196020.000 nm100nmSGPMohamed M. Atalla, Dawon KahngLaboratorios telefónicos Bell
NMOS
10.000 nm100nmSGPMohamed M. Atalla, Dawon KahngLaboratorios telefónicos Bell
NMOS
mayo de 19658.000nm150nmNMOSChih-Tang Sah, Otto Leistiko, AS GroveSemiconductor Fairchild
5000nm170nmSGP
diciembre de 19721000nm?SGPRobert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien YuCentro de investigación IBM TJ Watson
19737500nm?NMOSsuzuki sohichiComité ejecutivo nacional
6000nm?SGP?Toshiba
octubre de 19741000nm35nmNMOSRobert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien YuCentro de investigación IBM TJ Watson
500nm
septiembre de 19751.500nm20nmNMOSRyoichi Hori, Hiroo Masuda, Osamu MinatoHitachi
marzo de 19763000nm?NMOS?Intel
abril de 19791000nm25nmNMOSWilliam R. Hunter, LM Efrath, Alice CramerCentro de investigación IBM TJ Watson
diciembre de 1984100nm5nmNMOSToshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, K. KiuchiTelégrafo y teléfono de Nippon
diciembre de 1985150nm2,5nmNMOSToshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, M. Miyake, M. OdaTelégrafo y teléfono de Nippon
75nm?NMOSStephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. AntoniadisMIT
enero de 198660nm?NMOSStephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. AntoniadisMIT
junio de 1987200nm3,5nmSGPToshio Kobayashi, M. Miyake, K. DeguchiTelégrafo y teléfono de Nippon
diciembre de 199340nm?NMOSMizuki Ono, Masanobu Saito, Takashi YoshitomiToshiba
septiembre de 199616nm?SGPHisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio BabaComité ejecutivo nacional
junio de 199850nm1,3nmNMOSKhaled Z. Ahmed, Effiong E. Ibok, Miryeong SongMicrodispositivos avanzados (AMD)
diciembre de 20026nm?SGPBruce Doris, Omer Dokumaci, Meikei IeongIBM
diciembre de 20033 nm?SGPHitoshi Wakabayashi, Shigeharu YamagamiComité ejecutivo nacional
?NMOS

CMOS (puerta única)

FechaLongitud del canalEspesor de óxidoInvestigador(es)OrganizaciónÁrbitro
febrero de 1963??Chih-Tang Sah, Frank WanlassSemiconductor Fairchild
196820.000 nm100nm?Laboratorios RCA
197010.000 nm100nm?Laboratorios RCA
diciembre de 19762000nm?A. Aitken, RG Poulsen, ATP MacArthur, JJ WhiteSemiconductores Mitel
febrero de 19783000nm?Toshiaki Masuhara, Osamu Minato, Toshio Sasaki, Yoshio SakaiLaboratorio central de investigación de Hitachi
febrero de 19831.200nm25nmRJC Chwang, M. Choi, D. Creek, S. Stern, PH PelleyIntel
900nm15nmTsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. NakajimaTelégrafo y teléfono nipones (NTT)
diciembre de 19831000nm22,5nmGJ Hu, Yuan Taur, Robert H. Dennard, Chung-Yu TingCentro de investigación IBM TJ Watson
febrero de 1987800nm17 nmT. Sumi, Tsuneo Taniguchi, Mikio Kishimoto, Hiroshige HiranoMatsushita
700nm12 nmTsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. NakajimaTelégrafo y teléfono nipones (NTT)
septiembre de 1987500nm12,5nmHussein I. Hanafi, Robert H. Dennard, Yuan Taur, Nadim F. HaddadCentro de investigación IBM TJ Watson
diciembre de 1987250nm?Naoki Kasai, Nobuhiro Endo, Hiroshi KitajimaComité ejecutivo nacional
febrero de 1988400nm10nmM. Inoue, H. Kotani, T. Yamada, Hiroyuki YamauchiMatsushita
diciembre de 1990100nm?Ghavam G. Shahidi, Bijan Davari, Yuan Taur, James D. WarnockCentro de investigación IBM TJ Watson
1993350nm??sony
1996150nm??mitsubishi eléctrico
1998180nm??TSMC
diciembre de 20035nm?Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami, Nobuyuki IkezawaComité ejecutivo nacional

MOSFET de puerta múltiple (MuGFET)

FechaLongitud del canalTipo MuGFETInvestigador(es)OrganizaciónÁrbitro
agosto de 1984?DGMOSToshihiro Sekigawa, Yutaka HayashiLaboratorio Electrotécnico (ETL)
19872000nmDGMOSToshihiro SekigawaLaboratorio Electrotécnico (ETL)
diciembre de 1988250nmDGMOSBijan Davari, Wen-Hsing Chang, Matthew R. Wordeman, CS OhCentro de investigación IBM TJ Watson
180nm
?GAAFETFujio Masuoka, Hiroshi Takato, Kazumasa Sunouchi, N. OkabeToshiba
diciembre de 1989200nmFinFETDigh Hisamoto, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto, Eiji TakedaLaboratorio central de investigación de Hitachi
diciembre de 199817 nmFinFETDigh Hisamoto, Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu, Jeffrey BokorUniversidad de California, Berkeley)
200115nmFinFETChenming Hu, Yang‐Kyu Choi, Nick Lindert, Tsu-Jae King LiuUniversidad de California, Berkeley)
diciembre de 200210nmFinFETShably Ahmed, Scott Bell, Cyrus Tabery, Jeffrey BokorUniversidad de California, Berkeley)
junio de 20063 nmGAAFETHyunjin Lee, Yang-kyu Choi, Lee-Eun Yu, Seong-Wan RyuKAIST

Otros tipos de MOSFET

FechaLongitud del canal(nm)Espesor de óxido(nm)tipo MOSFETInvestigador(es)OrganizaciónÁrbitro
octubre de 1962??TFTPaul K WeimerLaboratorios RCA
1965??GaAsH. Becke, R. Hall, J. WhiteLaboratorios RCA
octubre de 1966100,000100TFTTP Brody, HE KunigWestinghouse eléctrico
agosto de 1967??FGMOSDawon Kahng, Simon Min SzeLaboratorios telefónicos Bell
octubre de 1967??MNOSHA Richard Wegener, AJ Lincoln, HC Paocorporación sperry
julio de 1968??BiMOSHung-Chang Lin, Ramachandra R. IyerWestinghouse eléctrico
octubre de 1968??BiCMOSHung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer, CT HoWestinghouse eléctrico
1969??VMOS?Hitachi
septiembre de 1969??OGDY. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro SekigawaLaboratorio Electrotécnico (ETL)
octubre de 1970??ISFETpiet bergveldUniversidad de Twente
octubre de 19701000?OGDY. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro SekigawaLaboratorio Electrotécnico (ETL)
1977??VDMOSJuan Luis MollLaboratorios HP
??LDMOS?Hitachi
julio de 1979??IGBTBantval Jayant Baliga, Margaret LazeriEnergia General
diciembre de 19842000?BiCMOSH. Higuchi, Goro Kitsukawa, Takahide Ikeda, Y. NishioHitachi
mayo de 1985300??K. Deguchi, Kazuhiko Komatsu, M. Miyake, H. NamatsuTelégrafo y teléfono de Nippon
febrero de 19851000?BiCMOSH. Momose, Hideki Shibata, S. Saitoh, Jun-ichi MiyamotoToshiba
noviembre de 1986908.3?Han-Sheng Lee, LC PuzioMotores generales
diciembre de 198660??Ghavam G. Shahidi, Dimitri A. Antoniadis, Henry I. SmithMIT
mayo de 1987?10?Bijan Davari, Chung-Yu Ting, Kie Y. Ahn, S. BasavaiahCentro de investigación IBM TJ Watson
diciembre de 1987800?BiCMOSRobert H. Havemann, RE Eklund, Hiep V. TranInstrumentos Texas
junio de 199730?EJ-MOSFETHisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio BabaComité ejecutivo nacional
199832???Comité ejecutivo nacional
19998???
abril de 20008?EJ-MOSFETHisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio BabaComité ejecutivo nacional

Productos comerciales que utilizan MOSFET a microescala

Productos con proceso de fabricación de 20 μm

Productos con proceso de fabricación de 10 μm

Productos con proceso de fabricación de 8 μm

Productos con proceso de fabricación de 6 μm

Productos con proceso de fabricación de 3 μm

Productos con proceso de fabricación de 1,5 μm

Productos con proceso de fabricación de 1 μm

Productos con proceso de fabricación de 800 nm

Productos con proceso de fabricación de 600 nm

Productos con proceso de fabricación de 350 nm

Productos con proceso de fabricación de 250 nm

Procesadores que utilizan tecnología de fabricación de 180 nm

Procesadores que utilizan tecnología de fabricación de 130 nm

Productos comerciales que utilizan MOSFET a nanoescala

Chips con tecnología de fabricación de 90 nm

Procesadores que utilizan tecnología de fabricación de 65 nm

Procesadores que utilizan tecnología de 45 nm

Chips con tecnología de 32 nm

Chips que utilizan tecnología de 24 a 28 nm

Chips con tecnología de 22 nm

Chips con tecnología de 20 nm

Chips con tecnología de 16 nm

Chips con tecnología de 14 nm

Chips con tecnología de 10 nm

Chips con tecnología de 7 nm

Chips con tecnología de 5 nm

Tecnología de 3 nanómetros