Cerámica
Cerámica es cualquiera de los diversos materiales duros, quebradizos, resistentes al calor y a la corrosión que se fabrican moldeando y luego quemando un... (leer más)
Se enumeran muchos ejemplos de escala de semiconductores para varios nodos de proceso de fabricación de semiconductores de transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal (MOSFET o transistor MOS).
Fecha | Longitud del canal | Espesor de óxido | Lógica MOSFET | Investigador(es) | Organización | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|
junio de 1960 | 20.000 nm | 100nm | SGP | Mohamed M. Atalla, Dawon Kahng | Laboratorios telefónicos Bell | |
NMOS | ||||||
10.000 nm | 100nm | SGP | Mohamed M. Atalla, Dawon Kahng | Laboratorios telefónicos Bell | ||
NMOS | ||||||
mayo de 1965 | 8.000nm | 150nm | NMOS | Chih-Tang Sah, Otto Leistiko, AS Grove | Semiconductor Fairchild | |
5000nm | 170nm | SGP | ||||
diciembre de 1972 | 1000nm | ? | SGP | Robert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien Yu | Centro de investigación IBM TJ Watson | |
1973 | 7500nm | ? | NMOS | suzuki sohichi | Comité ejecutivo nacional | |
6000nm | ? | SGP | ? | Toshiba | ||
octubre de 1974 | 1000nm | 35nm | NMOS | Robert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien Yu | Centro de investigación IBM TJ Watson | |
500nm | ||||||
septiembre de 1975 | 1.500nm | 20nm | NMOS | Ryoichi Hori, Hiroo Masuda, Osamu Minato | Hitachi | |
marzo de 1976 | 3000nm | ? | NMOS | ? | Intel | |
abril de 1979 | 1000nm | 25nm | NMOS | William R. Hunter, LM Efrath, Alice Cramer | Centro de investigación IBM TJ Watson | |
diciembre de 1984 | 100nm | 5nm | NMOS | Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, K. Kiuchi | Telégrafo y teléfono de Nippon | |
diciembre de 1985 | 150nm | 2,5nm | NMOS | Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, M. Miyake, M. Oda | Telégrafo y teléfono de Nippon | |
75nm | ? | NMOS | Stephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. Antoniadis | MIT | ||
enero de 1986 | 60nm | ? | NMOS | Stephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. Antoniadis | MIT | |
junio de 1987 | 200nm | 3,5nm | SGP | Toshio Kobayashi, M. Miyake, K. Deguchi | Telégrafo y teléfono de Nippon | |
diciembre de 1993 | 40nm | ? | NMOS | Mizuki Ono, Masanobu Saito, Takashi Yoshitomi | Toshiba | |
septiembre de 1996 | 16nm | ? | SGP | Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba | Comité ejecutivo nacional | |
junio de 1998 | 50nm | 1,3nm | NMOS | Khaled Z. Ahmed, Effiong E. Ibok, Miryeong Song | Microdispositivos avanzados (AMD) | |
diciembre de 2002 | 6nm | ? | SGP | Bruce Doris, Omer Dokumaci, Meikei Ieong | IBM | |
diciembre de 2003 | 3 nm | ? | SGP | Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami | Comité ejecutivo nacional | |
? | NMOS |
Fecha | Longitud del canal | Espesor de óxido | Investigador(es) | Organización | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|
febrero de 1963 | ? | ? | Chih-Tang Sah, Frank Wanlass | Semiconductor Fairchild | |
1968 | 20.000 nm | 100nm | ? | Laboratorios RCA | |
1970 | 10.000 nm | 100nm | ? | Laboratorios RCA | |
diciembre de 1976 | 2000nm | ? | A. Aitken, RG Poulsen, ATP MacArthur, JJ White | Semiconductores Mitel | |
febrero de 1978 | 3000nm | ? | Toshiaki Masuhara, Osamu Minato, Toshio Sasaki, Yoshio Sakai | Laboratorio central de investigación de Hitachi | |
febrero de 1983 | 1.200nm | 25nm | RJC Chwang, M. Choi, D. Creek, S. Stern, PH Pelley | Intel | |
900nm | 15nm | Tsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. Nakajima | Telégrafo y teléfono nipones (NTT) | ||
diciembre de 1983 | 1000nm | 22,5nm | GJ Hu, Yuan Taur, Robert H. Dennard, Chung-Yu Ting | Centro de investigación IBM TJ Watson | |
febrero de 1987 | 800nm | 17 nm | T. Sumi, Tsuneo Taniguchi, Mikio Kishimoto, Hiroshige Hirano | Matsushita | |
700nm | 12 nm | Tsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. Nakajima | Telégrafo y teléfono nipones (NTT) | ||
septiembre de 1987 | 500nm | 12,5nm | Hussein I. Hanafi, Robert H. Dennard, Yuan Taur, Nadim F. Haddad | Centro de investigación IBM TJ Watson | |
diciembre de 1987 | 250nm | ? | Naoki Kasai, Nobuhiro Endo, Hiroshi Kitajima | Comité ejecutivo nacional | |
febrero de 1988 | 400nm | 10nm | M. Inoue, H. Kotani, T. Yamada, Hiroyuki Yamauchi | Matsushita | |
diciembre de 1990 | 100nm | ? | Ghavam G. Shahidi, Bijan Davari, Yuan Taur, James D. Warnock | Centro de investigación IBM TJ Watson | |
1993 | 350nm | ? | ? | sony | |
1996 | 150nm | ? | ? | mitsubishi eléctrico | |
1998 | 180nm | ? | ? | TSMC | |
diciembre de 2003 | 5nm | ? | Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami, Nobuyuki Ikezawa | Comité ejecutivo nacional |
Fecha | Longitud del canal | Tipo MuGFET | Investigador(es) | Organización | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|
agosto de 1984 | ? | DGMOS | Toshihiro Sekigawa, Yutaka Hayashi | Laboratorio Electrotécnico (ETL) | |
1987 | 2000nm | DGMOS | Toshihiro Sekigawa | Laboratorio Electrotécnico (ETL) | |
diciembre de 1988 | 250nm | DGMOS | Bijan Davari, Wen-Hsing Chang, Matthew R. Wordeman, CS Oh | Centro de investigación IBM TJ Watson | |
180nm | |||||
? | GAAFET | Fujio Masuoka, Hiroshi Takato, Kazumasa Sunouchi, N. Okabe | Toshiba | ||
diciembre de 1989 | 200nm | FinFET | Digh Hisamoto, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto, Eiji Takeda | Laboratorio central de investigación de Hitachi | |
diciembre de 1998 | 17 nm | FinFET | Digh Hisamoto, Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu, Jeffrey Bokor | Universidad de California, Berkeley) | |
2001 | 15nm | FinFET | Chenming Hu, Yang‐Kyu Choi, Nick Lindert, Tsu-Jae King Liu | Universidad de California, Berkeley) | |
diciembre de 2002 | 10nm | FinFET | Shably Ahmed, Scott Bell, Cyrus Tabery, Jeffrey Bokor | Universidad de California, Berkeley) | |
junio de 2006 | 3 nm | GAAFET | Hyunjin Lee, Yang-kyu Choi, Lee-Eun Yu, Seong-Wan Ryu | KAIST |
Fecha | Longitud del canal(nm) | Espesor de óxido(nm) | tipo MOSFET | Investigador(es) | Organización | Árbitro |
---|---|---|---|---|---|---|
octubre de 1962 | ? | ? | TFT | Paul K Weimer | Laboratorios RCA | |
1965 | ? | ? | GaAs | H. Becke, R. Hall, J. White | Laboratorios RCA | |
octubre de 1966 | 100,000 | 100 | TFT | TP Brody, HE Kunig | Westinghouse eléctrico | |
agosto de 1967 | ? | ? | FGMOS | Dawon Kahng, Simon Min Sze | Laboratorios telefónicos Bell | |
octubre de 1967 | ? | ? | MNOS | HA Richard Wegener, AJ Lincoln, HC Pao | corporación sperry | |
julio de 1968 | ? | ? | BiMOS | Hung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer | Westinghouse eléctrico | |
octubre de 1968 | ? | ? | BiCMOS | Hung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer, CT Ho | Westinghouse eléctrico | |
1969 | ? | ? | VMOS | ? | Hitachi | |
septiembre de 1969 | ? | ? | OGD | Y. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro Sekigawa | Laboratorio Electrotécnico (ETL) | |
octubre de 1970 | ? | ? | ISFET | piet bergveld | Universidad de Twente | |
octubre de 1970 | 1000 | ? | OGD | Y. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro Sekigawa | Laboratorio Electrotécnico (ETL) | |
1977 | ? | ? | VDMOS | Juan Luis Moll | Laboratorios HP | |
? | ? | LDMOS | ? | Hitachi | ||
julio de 1979 | ? | ? | IGBT | Bantval Jayant Baliga, Margaret Lazeri | Energia General | |
diciembre de 1984 | 2000 | ? | BiCMOS | H. Higuchi, Goro Kitsukawa, Takahide Ikeda, Y. Nishio | Hitachi | |
mayo de 1985 | 300 | ? | ? | K. Deguchi, Kazuhiko Komatsu, M. Miyake, H. Namatsu | Telégrafo y teléfono de Nippon | |
febrero de 1985 | 1000 | ? | BiCMOS | H. Momose, Hideki Shibata, S. Saitoh, Jun-ichi Miyamoto | Toshiba | |
noviembre de 1986 | 90 | 8.3 | ? | Han-Sheng Lee, LC Puzio | Motores generales | |
diciembre de 1986 | 60 | ? | ? | Ghavam G. Shahidi, Dimitri A. Antoniadis, Henry I. Smith | MIT | |
mayo de 1987 | ? | 10 | ? | Bijan Davari, Chung-Yu Ting, Kie Y. Ahn, S. Basavaiah | Centro de investigación IBM TJ Watson | |
diciembre de 1987 | 800 | ? | BiCMOS | Robert H. Havemann, RE Eklund, Hiep V. Tran | Instrumentos Texas | |
junio de 1997 | 30 | ? | EJ-MOSFET | Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba | Comité ejecutivo nacional | |
1998 | 32 | ? | ? | ? | Comité ejecutivo nacional | |
1999 | 8 | ? | ? | ? | ||
abril de 2000 | 8 | ? | EJ-MOSFET | Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba | Comité ejecutivo nacional |
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