Lista de ejemplos de escala de semiconductores

Se enumeran muchos ejemplos de escala de semiconductores para varios nodos de proceso de fabricación de semiconductores de transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal (MOSFET o transistor MOS).

Cronología de las demostraciones de MOSFET

PMOS y NMOS

Fecha	Longitud del canal	Espesor de óxido	Lógica MOSFET	Investigador(es)	Organización	Árbitro
junio de 1960	20.000 nm	100nm	SGP	Mohamed M. Atalla, Dawon Kahng	Laboratorios telefónicos Bell
NMOS
10.000 nm	100nm	SGP	Mohamed M. Atalla, Dawon Kahng	Laboratorios telefónicos Bell
NMOS
mayo de 1965	8.000nm	150nm	NMOS	Chih-Tang Sah, Otto Leistiko, AS Grove	Semiconductor Fairchild
5000nm	170nm	SGP
diciembre de 1972	1000nm	?	SGP	Robert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien Yu	Centro de investigación IBM TJ Watson
1973	7500nm	?	NMOS	suzuki sohichi	Comité ejecutivo nacional
6000nm	?	SGP	?	Toshiba
octubre de 1974	1000nm	35nm	NMOS	Robert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien Yu	Centro de investigación IBM TJ Watson
500nm
septiembre de 1975	1.500nm	20nm	NMOS	Ryoichi Hori, Hiroo Masuda, Osamu Minato	Hitachi
marzo de 1976	3000nm	?	NMOS	?	Intel
abril de 1979	1000nm	25nm	NMOS	William R. Hunter, LM Efrath, Alice Cramer	Centro de investigación IBM TJ Watson
diciembre de 1984	100nm	5nm	NMOS	Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, K. Kiuchi	Telégrafo y teléfono de Nippon
diciembre de 1985	150nm	2,5nm	NMOS	Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, M. Miyake, M. Oda	Telégrafo y teléfono de Nippon
75nm	?	NMOS	Stephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. Antoniadis	MIT
enero de 1986	60nm	?	NMOS	Stephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. Antoniadis	MIT
junio de 1987	200nm	3,5nm	SGP	Toshio Kobayashi, M. Miyake, K. Deguchi	Telégrafo y teléfono de Nippon
diciembre de 1993	40nm	?	NMOS	Mizuki Ono, Masanobu Saito, Takashi Yoshitomi	Toshiba
septiembre de 1996	16nm	?	SGP	Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba	Comité ejecutivo nacional
junio de 1998	50nm	1,3nm	NMOS	Khaled Z. Ahmed, Effiong E. Ibok, Miryeong Song	Microdispositivos avanzados (AMD)
diciembre de 2002	6nm	?	SGP	Bruce Doris, Omer Dokumaci, Meikei Ieong	IBM
diciembre de 2003	3 nm	?	SGP	Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami	Comité ejecutivo nacional
?	NMOS

CMOS (puerta única)

Fecha	Longitud del canal	Espesor de óxido	Investigador(es)	Organización	Árbitro
febrero de 1963	?	?	Chih-Tang Sah, Frank Wanlass	Semiconductor Fairchild
1968	20.000 nm	100nm	?	Laboratorios RCA
1970	10.000 nm	100nm	?	Laboratorios RCA
diciembre de 1976	2000nm	?	A. Aitken, RG Poulsen, ATP MacArthur, JJ White	Semiconductores Mitel
febrero de 1978	3000nm	?	Toshiaki Masuhara, Osamu Minato, Toshio Sasaki, Yoshio Sakai	Laboratorio central de investigación de Hitachi
febrero de 1983	1.200nm	25nm	RJC Chwang, M. Choi, D. Creek, S. Stern, PH Pelley	Intel
900nm	15nm	Tsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. Nakajima	Telégrafo y teléfono nipones (NTT)
diciembre de 1983	1000nm	22,5nm	GJ Hu, Yuan Taur, Robert H. Dennard, Chung-Yu Ting	Centro de investigación IBM TJ Watson
febrero de 1987	800nm	17 nm	T. Sumi, Tsuneo Taniguchi, Mikio Kishimoto, Hiroshige Hirano	Matsushita
700nm	12 nm	Tsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. Nakajima	Telégrafo y teléfono nipones (NTT)
septiembre de 1987	500nm	12,5nm	Hussein I. Hanafi, Robert H. Dennard, Yuan Taur, Nadim F. Haddad	Centro de investigación IBM TJ Watson
diciembre de 1987	250nm	?	Naoki Kasai, Nobuhiro Endo, Hiroshi Kitajima	Comité ejecutivo nacional
febrero de 1988	400nm	10nm	M. Inoue, H. Kotani, T. Yamada, Hiroyuki Yamauchi	Matsushita
diciembre de 1990	100nm	?	Ghavam G. Shahidi, Bijan Davari, Yuan Taur, James D. Warnock	Centro de investigación IBM TJ Watson
1993	350nm	?	?	sony
1996	150nm	?	?	mitsubishi eléctrico
1998	180nm	?	?	TSMC
diciembre de 2003	5nm	?	Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami, Nobuyuki Ikezawa	Comité ejecutivo nacional

MOSFET de puerta múltiple (MuGFET)

Fecha	Longitud del canal	Tipo MuGFET	Investigador(es)	Organización	Árbitro
agosto de 1984	?	DGMOS	Toshihiro Sekigawa, Yutaka Hayashi	Laboratorio Electrotécnico (ETL)
1987	2000nm	DGMOS	Toshihiro Sekigawa	Laboratorio Electrotécnico (ETL)
diciembre de 1988	250nm	DGMOS	Bijan Davari, Wen-Hsing Chang, Matthew R. Wordeman, CS Oh	Centro de investigación IBM TJ Watson
180nm
?	GAAFET	Fujio Masuoka, Hiroshi Takato, Kazumasa Sunouchi, N. Okabe	Toshiba
diciembre de 1989	200nm	FinFET	Digh Hisamoto, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto, Eiji Takeda	Laboratorio central de investigación de Hitachi
diciembre de 1998	17 nm	FinFET	Digh Hisamoto, Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu, Jeffrey Bokor	Universidad de California, Berkeley)
2001	15nm	FinFET	Chenming Hu, Yang‐Kyu Choi, Nick Lindert, Tsu-Jae King Liu	Universidad de California, Berkeley)
diciembre de 2002	10nm	FinFET	Shably Ahmed, Scott Bell, Cyrus Tabery, Jeffrey Bokor	Universidad de California, Berkeley)
junio de 2006	3 nm	GAAFET	Hyunjin Lee, Yang-kyu Choi, Lee-Eun Yu, Seong-Wan Ryu	KAIST

Otros tipos de MOSFET

Fecha	Longitud del canal(nm)	Espesor de óxido(nm)	tipo MOSFET	Investigador(es)	Organización	Árbitro
octubre de 1962	?	?	TFT	Paul K Weimer	Laboratorios RCA
1965	?	?	GaAs	H. Becke, R. Hall, J. White	Laboratorios RCA
octubre de 1966	100,000	100	TFT	TP Brody, HE Kunig	Westinghouse eléctrico
agosto de 1967	?	?	FGMOS	Dawon Kahng, Simon Min Sze	Laboratorios telefónicos Bell
octubre de 1967	?	?	MNOS	HA Richard Wegener, AJ Lincoln, HC Pao	corporación sperry
julio de 1968	?	?	BiMOS	Hung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer	Westinghouse eléctrico
octubre de 1968	?	?	BiCMOS	Hung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer, CT Ho	Westinghouse eléctrico
1969	?	?	VMOS	?	Hitachi
septiembre de 1969	?	?	OGD	Y. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro Sekigawa	Laboratorio Electrotécnico (ETL)
octubre de 1970	?	?	ISFET	piet bergveld	Universidad de Twente
octubre de 1970	1000	?	OGD	Y. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro Sekigawa	Laboratorio Electrotécnico (ETL)
1977	?	?	VDMOS	Juan Luis Moll	Laboratorios HP
?	?	LDMOS	?	Hitachi
julio de 1979	?	?	IGBT	Bantval Jayant Baliga, Margaret Lazeri	Energia General
diciembre de 1984	2000	?	BiCMOS	H. Higuchi, Goro Kitsukawa, Takahide Ikeda, Y. Nishio	Hitachi
mayo de 1985	300	?	?	K. Deguchi, Kazuhiko Komatsu, M. Miyake, H. Namatsu	Telégrafo y teléfono de Nippon
febrero de 1985	1000	?	BiCMOS	H. Momose, Hideki Shibata, S. Saitoh, Jun-ichi Miyamoto	Toshiba
noviembre de 1986	90	8.3	?	Han-Sheng Lee, LC Puzio	Motores generales
diciembre de 1986	60	?	?	Ghavam G. Shahidi, Dimitri A. Antoniadis, Henry I. Smith	MIT
mayo de 1987	?	10	?	Bijan Davari, Chung-Yu Ting, Kie Y. Ahn, S. Basavaiah	Centro de investigación IBM TJ Watson
diciembre de 1987	800	?	BiCMOS	Robert H. Havemann, RE Eklund, Hiep V. Tran	Instrumentos Texas
junio de 1997	30	?	EJ-MOSFET	Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba	Comité ejecutivo nacional
1998	32	?	?	?	Comité ejecutivo nacional
1999	8	?	?	?
abril de 2000	8	?	EJ-MOSFET	Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba	Comité ejecutivo nacional

Productos comerciales que utilizan MOSFET a microescala

Productos con proceso de fabricación de 20 μm

• La serie CD4000 de circuitos integrados (IC) de RCA a partir de 1968.

Productos con proceso de fabricación de 10 μm

• Intel 4004, la primera CPU con microprocesador de un solo chip, lanzada en 1971.
• CPU Intel 8008 lanzada en 1972.
• CPU MOS Technology 6502 de 1 MHz lanzada en 1975 (8 μm).

Productos con proceso de fabricación de 8 μm

• Intel 1103, uno de los primeros chips de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) lanzado en 1970.

Productos con proceso de fabricación de 6 μm

• Toshiba TLCS-12, un microprocesador desarrollado para el sistema Ford EEC (Electronic Engine Control) en 1973.
• La CPU Intel 8080 lanzada en 1974 se fabricó utilizando este proceso.
• El adaptador de interfaz de televisión, el chip de audio y gráficos personalizado desarrollado para el Atari 2600 en 1977.
• MOS Technology SID, un generador de sonido programable desarrollado para el Commodore 64 en 1982.
• MOS Technology VIC-II, un controlador de pantalla de video desarrollado para el Commodore 64 en 1982 (5 μm).

Productos con proceso de fabricación de 3 μm

• CPU Intel 8085 lanzada en 1976.
• CPU Intel 8086 lanzada en 1978.
• CPU Intel 8088 lanzada en 1979.
• CPU Motorola 68000 de 8 MHz lanzada en 1979 (3,5 μm).

Productos con proceso de fabricación de 1,5 μm

• Chip de memoria SRAM de 64 kb de NEC en 1981.
• CPU Intel 80286 lanzada en 1982.
• La arquitectura de gráficos avanzados de Amiga (vendida inicialmente en 1992) incluía chips como Denise que se fabricaban mediante un proceso CMOS de 1,5 μm.

Productos con proceso de fabricación de 1 μm

• Los chips de memoria DRAM de NTT, incluido su chip de 64 kb en 1979 y el chip de 256 kb en 1980.
• Chip de memoria DRAM de 1 Mb de NEC en 1984.
• CPU Intel 80386 lanzada en 1985.

Productos con proceso de fabricación de 800 nm

• Chip de memoria DRAM de 1 Mb de NTT en 1984.
• NEC y Toshiba utilizaron este proceso para sus chips de memoria DRAM de 4 Mb en 1986.
• Hitachi, IBM, Matsushita y Mitsubishi Electric utilizaron este proceso para sus chips de memoria DRAM de 4 Mb en 1987.
• Chip de memoria EPROM de 4 Mb de Toshiba en 1987.
• Hitachi, Mitsubishi y Toshiba utilizaron este proceso para sus chips de memoria SRAM de 1 Mb en 1987.
• CPU Intel 486 lanzada en 1989.
• microSPARC I lanzado en 1992.
• Las primeras CPU Intel P5 Pentium a 60 MHz y 66 MHz se lanzaron en 1993.

Productos con proceso de fabricación de 600 nm

• Mitsubishi Electric, Toshiba y NEC introdujeron chips de memoria DRAM de 16 Mb fabricados con un proceso de 600 nm en 1989.
• Chip de memoria EPROM de 16 Mb de NEC en 1990.
• Chip de memoria flash de 16 Mb de Mitsubishi en 1991.
• CPU Intel 80486DX4 lanzada en 1994.
• IBM/Motorola PowerPC 601, el primer chip PowerPC, se produjo en 0,6 μm.
• CPU Intel Pentium a 75 MHz, 90 MHz y 100 MHz.

Productos con proceso de fabricación de 350 nm

• Chip de memoria SRAM de 16 Mb de Sony en 1994.
• NEC VR4300 (1995), utilizado en la consola de juegos Nintendo 64.
• Intel Pentium Pro (1995), Pentium (P54CS, 1995) y CPU Pentium II iniciales (Klamath, 1997).
• CPU AMD K5 (1996) y AMD K6 original (Modelo 6, 1997).
• Hélice Parallax, microcontrolador de 8 núcleos.

Productos con proceso de fabricación de 250 nm

• Chip de memoria SRAM de 16 Mb de Hitachi en 1993.
• Hitachi y NEC introdujeron chips de memoria DRAM de 256 Mb fabricados con este proceso en 1993, seguidos por Matsushita, Mitsubishi Electric y Oki en 1994.
• Chip de memoria DRAM de 1 Gb de NEC en 1995.
• Chip de memoria flash NAND de 128 Mb de Hitachi en 1996.
• DEC Alpha 21264A, que estuvo disponible comercialmente en 1999.
• AMD K6-2 Chomper y Chomper Extended. Chomper fue lanzado el 28 de mayo de 1998.
• AMD K6-III "Sharptooth" usó 250 nm.
• Mobile Pentium MMX Tillamook, lanzado en agosto de 1997.
• Deschutes Pentium II.
• CPU Hitachi SH-4 y GPU PowerVR2 de la consola Dreamcast, lanzadas en 1998.
• Pentium III Katmai.
• CPU Emotion Engine inicial de PlayStation 2.

Procesadores que utilizan tecnología de fabricación de 180 nm

• Intel Coppermine E- Octubre de 1999
• Motor de emociones y sintetizador de gráficos de la consola PlayStation 2 de Sony: marzo de 2000
• ATI Radeon R100 y RV100 Radeon 7000 – 2000
• AMD Athlon Thunderbird – junio de 2000
• Intel Celeron (Willamette) – mayo de 2002
• Motorola PowerPC 7445 y 7455 (Apolo 6) – enero de 2002

Procesadores que utilizan tecnología de fabricación de 130 nm

• Fujitsu SPARC64 V – 2001
• Gekko de IBM y Nintendo (consola GameCube) – 2001
• Motorola PowerPC 7447 y 7457 – 2002
• IBM PowerPC G5 970 – octubre de 2002 – junio de 2003
• Intel Pentium III Tualatin y Coppermine – 2001-04
• Intel Celeron Tualatin-256 – 2001-10-02
• Intel Pentium M Banias – 2003-03-12
• Intel Pentium 4 Northwood- 2002-01-07
• Intel Celeron Northwood-128 – 2002-09-18
• Intel Xeon Prestonia y Gallatin – 2002-02-25
• VÍA C3 – 2001
• AMD Athlon XP pura sangre, Thorton y Barton
• AMD Athlon MP pura sangre – 2002-08-27
• AMD Athlon XP-M pura sangre, Barton y Dublin
• AMD Duron Applebred – 2003-08-21
• AMD K7 Sempron Thoroughbred-B, Thorton y Barton – 2004-07-28
• AMD K8 Sempron París – 2004-07-28
• AMD Athlon 64 Clawhammer y Newcastle – 2003-09-23
• Mazo AMD Opteron – 2003-06-30
• Elbrus 2000 1891ВМ4Я (1891VM4YA) – 2008-04-27 [1]
• MCST-R500S 1891BM3 – 2008-07-27 [2]
• Vórtice 86SX – [3]

Productos comerciales que utilizan MOSFET a nanoescala

Chips con tecnología de fabricación de 90 nm

• Sony–Toshiba Emotion Engine+Graphics Synthesizer (PlayStation 2) – 2003
• IBM PowerPC G5 970FX – 2004
• Proceso SDRAM DDR2 de 90 nm de Elpida Memory - 2005
• IBM PowerPC G5 970MP – 2005
• IBM PowerPC G5 970GX – 2005
• Procesador IBM Waternoose Xbox 360 – 2005
• Procesador celular IBM–Sony–Toshiba – 2005
• Intel Pentium 4 Prescott – 2004-02
• Intel Celeron D Prescott-256 – 2004-05
• Intel Pentium M Dothan – 2004-05
• Intel Celeron M Dothan-1024 – 2004-08
• Intel Xeon Nocona, Irwindale, Cranford, Potomac, Paxville – 2004-06
• Intel Pentium D Smithfield-2005-05
• AMD Athlon 64 Winchester, Venecia, San Diego, Orleans – 2004-10
• AMD Athlon 64 X2 Manchester, Toledo, Windsor – 2005-05
• AMD Sempron Palermo y Manila – 2004-08
• AMD Turion 64 Lancaster y Richmond – 2005-03
• AMD Turion 64 X2 Taylor y Trinidad – 2006-05
• AMD Opteron Venus, Troy y Atenas – 2005-08
• AMD Dual-core Opteron Dinamarca, Italia, Egipto, Santa Ana y Santa Rosa
• VÍA C7 – 2005-05
• Loongson (Ahijado) 2Е STLS2E02 - 2007-04
• Loongson (Ahijado) 2F STLS2F02 - 2008-07
• MCST-4R-2010-12
• Elbrus-2C+ – 2011-11

Procesadores que utilizan tecnología de fabricación de 65 nm

• Sony–Toshiba EE+GS (PStwo) – 2005
• Intel Pentium 4 (molino de cedro) – 2006-01-16
• Intel Pentium D serie 900 – 2006-01-16
• Intel Celeron D (núcleos Cedar Mill) – 2006-05-28
• Núcleo de Intel – 2006-01-05
• Intel Core 2 – 2006-07-27
• Intel Xeon (Sossaman) – 2006-03-14
• Serie AMD Athlon 64 (a partir de Lima) – 2007-02-20
• Serie AMD Turion 64 X2 (a partir de Tyler) – 2007-05-07
• Serie Phenom de AMD
• Procesador celular de IBM – PlayStation 3 – 2007-11-17
• z10 de IBM
• CPU "Falcon" de Microsoft Xbox 360 - 2007–09
• Procesador Microsoft Xbox 360 "Opus" - 2008
• CPU "Jasper" de Microsoft Xbox 360 - 2008–10
• GPU "Jasper" de Microsoft Xbox 360 - 2008–10
• Sun UltraSPARC T2 – 2007–10
• AMD Turion Ultra – 2008-06
• Familia TI OMAP 3 – 2008-02
• VIA Nano-2008-05
• Longson - 2009
• GPU NVIDIA GeForce 8800GT – 2007

Procesadores que utilizan tecnología de 45 nm

• Matsushita lanzó el Uniphier de 45 nm en 2007.
• Wolfdale, Yorkfield, Yorkfield XE y Penryn son núcleos Intel vendidos bajo la marca Core 2.
• Procesadores de la serie Intel Core i7, i5 750 (Lynnfield y Clarksfield)
• Los Pentium Dual-Core Wolfdale-3M son los principales procesadores Intel de doble núcleo que se venden bajo la marca Pentium.
• Diamondville, Pineview son núcleos Intel actuales con hiperprocesamiento vendidos bajo la marca Intel Atom.
• Procesadores AMD Deneb (Phenom II) y Shanghai (Opteron) de cuatro núcleos, procesadores de dos núcleos Regor (Athlon II) [4], procesadores móviles de dos núcleos Caspian (Turion II).
• Procesador AMD (Phenom II) "Thuban" de seis núcleos (1055T)
• Xenon en el modelo Xbox 360 S.
• Sony–Toshiba Cell Broadband Engine en el modelo PlayStation 3 Slim: septiembre de 2009.
• Samsung S5PC110, conocido como Colibrí.
• Texas Instruments OMAP 36xx.
• IBM POWER7 y z196
• Serie Fujitsu SPARC64 VIIIfx
• Espresso (microprocesador) Wii U CPU

Chips con tecnología de 32 nm

• Toshiba produjo chips comerciales de memoria flash NAND de 32 Gb con el proceso de 32 nm en 2009.
• Procesadores Intel Core i3 e i5, lanzados en enero de 2010
• Procesador Intel de 6 núcleos, con nombre en código Gulftown
• Intel i7-970, fue lanzado a fines de julio de 2010, con un precio de aproximadamente US $ 900
• Los procesadores de la serie FX de AMD, con nombre en código Zambezi y basados ​​en la arquitectura Bulldozer de AMD, se lanzaron en octubre de 2011. La tecnología utilizaba un proceso SOI de 32 nm, dos núcleos de CPU por módulo y hasta cuatro módulos, desde un diseño de cuatro núcleos que costaba aproximadamente US $ 130 a un diseño de ocho núcleos de $ 280.
• Ambarella Inc. anunció la disponibilidad del circuito de sistema en un chip A7L para cámaras fotográficas digitales, que brinda capacidades de video de alta definición de 1080p60 en septiembre de 2011

Chips que utilizan tecnología de 24 a 28 nm

• SK Hynix anunció que podría producir un chip flash de 26 nm con una capacidad de 64 Gb; Intel Corp. y Micron Technology ya habían desarrollado la tecnología ellos mismos. Anunciado en 2010.
• Toshiba anunció que enviaría dispositivos NAND de memoria flash de 24 nm el 31 de agosto de 2010.
• En 2016, el procesador Elbrus-8S de 28 nm de MCST pasó a la producción en serie.

Chips con tecnología de 22 nm

• Los procesadores Intel Core i7 e Intel Core i5 basados ​​en la tecnología Intel Ivy Bridge de 22 nm para conjuntos de chips de la serie 7 salieron a la venta en todo el mundo el 23 de abril de 2012.

Chips con tecnología de 20 nm

• Samsung Electronics comenzó la producción en masa de chips de memoria flash NAND de 64 Gb mediante un proceso de 20 nm en 2010.

Chips con tecnología de 16 nm

• TSMC comenzó la producción de chips FinFET de 16 nm en 2013.

Chips con tecnología de 14 nm

• Los procesadores Intel Core i7 e Intel Core i5 basados ​​en la tecnología Intel Broadwell de 14 nm se lanzaron en enero de 2015.
• Procesadores AMD Ryzen basados ​​en las arquitecturas Zen o Zen+ de AMD y que utilizan tecnología FinFET de 14 nm.

Chips con tecnología de 10 nm

• Samsung anunció que había comenzado la producción en masa de chips de memoria flash de celdas multinivel (MLC) utilizando un proceso de 10 nm en 2013. El 17 de octubre de 2016, Samsung Electronics anunció la producción en masa de chips SoC a 10 nm.
• TSMC comenzó la producción comercial de chips de 10 nm a principios de 2016, antes de pasar a la producción en masa a principios de 2017.
• Samsung comenzó a enviar el teléfono inteligente Galaxy S8 en abril de 2017 utilizando el procesador de 10 nm de la compañía.
• Apple entregó tabletas iPad Pro de segunda generación con chips Apple A10X producidos por TSMC utilizando el proceso FinFET de 10 nm en junio de 2017.

Chips con tecnología de 7 nm

• TSMC comenzó la producción de riesgo de chips de memoria SRAM de 256 Mbit utilizando un proceso de 7 nm en abril de 2017.
• Samsung y TSMC comenzaron la producción en masa de dispositivos de 7 nm en 2018.
• Los procesadores móviles Apple A12 y Huawei Kirin 980, ambos lanzados en 2018, utilizan chips de 7 nm fabricados por TSMC.
• AMD comenzó a usar TSMC 7 nm a partir de la GPU Vega 20 en noviembre de 2018, con CPU y APU basadas en Zen 2 a partir de julio de 2019, y para las APU de las consolas PlayStation 5 y Xbox Series X/S, ambas lanzadas en noviembre de 2020.

Chips con tecnología de 5 nm

• Samsung comenzó la producción de chips de 5 nm (5LPE) a finales de 2018.
• TSMC comenzó la producción de chips de 5 nm (CLN5FF) en abril de 2019.

Tecnología de 3 nanómetros

• TSMC y Samsung Electronics han anunciado planes para lanzar dispositivos de 3 nm durante 2021–2022.