Eli Yablonovitch

Eli Yablonovitch (nacido el 15 de diciembre de 1946) es un físico e ingeniero estadounidense que, junto con Sajeev John, fundó el campo de los cristales fotónicos en 1987. Él y su equipo fueron los primeros en crear un Estructura tridimensional que exhibía una banda prohibida fotónica completa, que ha sido denominada Yablonovite. Además de ser pionero en cristales fotónicos, fue el primero en reconocer que un láser de pozo cuántico deformado tiene un umbral de corriente significativamente reducido en comparación con su contraparte no deformado. Esto se emplea actualmente en la mayoría de los láseres semiconductores fabricados en todo el mundo. Su artículo fundamental que informa sobre la inhibición de la emisión espontánea en cristales fotónicos se encuentra entre los artículos más citados en física e ingeniería.

Carrera

Yablonovitch recibió su B.Sc. en física de la Universidad McGill en 1967. Luego recibió su A.M. Licenciatura en física aplicada de la Universidad de Harvard en 1969 y su Ph.D. de Harvard en 1972. Durante sus estudios de posgrado, Yablonovitch trabajó en óptica no lineal con láseres de dióxido de carbono.

Después de recibir su doctorado, Yablonovitch trabajó en los Laboratorios Bell. Luego se convirtió en profesor de física aplicada en Harvard en 1974. En 1979, se unió al centro de investigación Exxon para trabajar en la investigación fotovoltaica para energía solar. Mientras trabajaba en Exxon, Yablonovitch derivó el factor 4 (n al cuadrado) como límite teórico para el atrapamiento de luz en la energía fotovoltaica. Actualmente se utiliza en todo el mundo en casi todos los paneles solares.

Yablonovitch se unió a Bell Communications Research en 1984 y se convirtió en su director de investigación de física del estado sólido en 1991. Durante su estancia en Bell Communications, Yablonovitch realizó su trabajo pionero sobre cristales fotónicos.

Yablonovitch se convirtió en profesor de ingeniería eléctrica en UCLA y continuó estudiando y desarrollando cristales fotónicos y materiales fotónicos de banda prohibida. En julio de 2007, se incorporó al departamento de Ingeniería Eléctrica y Ciencias de la Computación de UC Berkeley. Sus temas de investigación incluyen fotónica de silicio, telecomunicaciones, antenas ópticas, nuevas aplicaciones de la energía fotovoltaica y búsqueda de un reemplazo de bajo voltaje para el transistor. Recientemente ha investigado enfoques de computación analógica para resolver problemas difíciles, como el problema del viajante.

Emprendimiento

Yablonovitch ha cofundado varias empresas relacionadas con sus intereses de investigación. En 2000, cofundó Ethertronics Inc. Ethertronics es un fabricante de antenas para teléfonos móviles que, hasta la fecha, ha enviado más de 1.700 millones de antenas.

En 2001, Yablonovitch cofundó Luxtera Inc., una empresa de semiconductores que fabrica sistemas electroópticos utilizando fotónica de silicio, fabricados con procesos CMOS. Luxtera es la primera empresa en comercializar fotónica de silicio basada en fundición.

Yablonovitch cofundó Luminescent Inc. en 2002. Luminescent proporcionó una optimización matemática sofisticada para su uso en máscaras de fotolitografía. Luminescent fue adquirida por Synopsys en 2012.

En 2008, Yablonovitch fundó Alta Devices Inc. Alta Devices produce células fotovoltaicas de arseniuro de galio de película delgada para energía solar. Alta Devices actualmente tiene el récord mundial de eficiencia para células solares de unión simple con un 29,1% y células solares de unión dual con un 31,6%, ambas con iluminación de 1 sol.

Becas y premios

Es miembro del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (IEEE), la Sociedad Óptica de América (OSA) y la Sociedad Estadounidense de Física (APS).

Fue elegido miembro de la Academia Nacional de Ciencias, la Academia Nacional de Ingeniería, la Academia Nacional de Inventores, la Academia Estadounidense de Artes y Ciencias y miembro extranjero de la Royal Society de Londres.

Ha recibido:

• 1978 Adolph Lomb Medal.
• 1993 W. Streifer Scientific Achievement Premio;
• 1996 R. W. Wood Prize;
• 2001 Premio Julius Springer;
• 2010 Medalla Mountbatten de la Institución de Ingeniería y Tecnología (IET);
• 2011 Clarivate Citation laureate in Physics, shared with Sajeev John, "por su invención y desarrollo de materiales de banda fotonica".
• 2012 IEEE Photonics Premio;
• 2012 Premio Harvey;
• 2014 Premio Rank para Optoelectrónica;
• 2015 Isaac Newton Medalla del Instituto de Física;
• 2016 Premio Oliver E. Buckley de Materia Condenada;
• 2017 IEEE "William R. Cherry Award"—el premio más alto del IEEE en las células solares;
• 2018 Medalla IEEE Edison;
• 2019 Frederic Ives Medalla / Premio Jarus W. Quinn—el premio más alto de la Sociedad Óptica;
• 2019 Medalla Benjamin Franklin;